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介质膜沉积与刻蚀系统【重新招标】招标公告

发布日期: 2023-06-28

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项目详情

招标编号:0618-234TC23120F9****受西安精微XXXXX公司委托,对下列产品及服务进行国际公开竞争性招标,于2023年6月28日发布招标公告,现邀请合格投标人参加投标。1.招标条件1.1项目名称:介质膜沉积与刻蚀系统  1套1.2资金到位或资金来源落实情况:资金已落实1.3项目已具备招标条件的说明:已具备2.招标内容2.1项目实施地点:陕西省西安市2.2招标产品列表:序号产品名称数量交货期1介质膜沉积与刻蚀系统1套合同签订生效之日起8个月内 2.3简要技术规格:介质膜沉积与刻蚀系统用于MEMS芯片微结构制造过程中氮化硅和氧化硅介质掩膜制备,其由PECVD等离子体增强化学气相沉积设备1台、RIE反应离子刻蚀机1台等组成(提供分项报价)。主要技术指标:适用6英寸圆片。射频系统配置有低频和****频双射频源;沉积效率≥6片/小时(6英寸1μm厚度SiO2标准片,含片间清洗、烘片、吹扫等环节);载片台控温范围不小于50~400℃,控温精度优于±1℃;膜层均匀性、重复性优于±3%;沉积SiNx、SiO2速率≥600?/min;刻蚀效率≥6片/小时(6英寸热氧SiO2标准片,刻蚀深...

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